U-MOSVIII-H Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
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Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
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Si SMD/SMT TO-220SMW-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 122 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
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Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 50 A 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 22 nC - 55 C + 150 C 142 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 85 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 49 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON-ADV 00 PD=78W 1MHz PWR MOSFET TRNS
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11,500En existencias
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 38 A 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC MOSFET
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15,529En existencias
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 55 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS150V
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16,372En existencias
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 29 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC
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Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 21 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 28 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 46 nC - 55 C + 150 C 64 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 71A 38nC MOSFET
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 71 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOS VII-H 34W 1050pF 57A 30V
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2,988En existencias
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Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 30 V 57 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 17 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET
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Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 63 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14.8 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET
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Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 53 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
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17,780En existencias
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Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 45 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 21 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
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Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 200 V 36 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 22 nC - 55 C + 150 C 142 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC
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8,233En existencias
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 59 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 150 C 61 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
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3,827En existencias
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 74 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
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5,531En existencias
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Si N-Channel 1 Channel U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET
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6,077En existencias
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Si N-Channel 1 Channel U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 80V 100A 59nC MOSFET
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2,428En existencias
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V
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3,391En existencias
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Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 31 A 12.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP
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4,889En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 74 nC - 55 C + 150 C 142 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 105 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement U-MOSVIII-H Tube