Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

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IPP60R099C7XKSA1
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IPZ60R017C7XKSA1
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IPW60R099C7XKSA1
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IPW60R180C7XKSA1
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1: $4.04
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IPW60R180C7XKSA1

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IPZ60R099C7XKSA1
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1: $5.98
26En existencias

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$3.57

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IPA60R099C7XKSA1
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1: $5.18
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IPA60R099C7XKSA1

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396En existencias

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IPP60R120C7XKSA1
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500Se espera el 29/05/2026

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IPP60R180C7XKSA1
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1: $3.19
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500Se espera el 10/09/2026

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496En existencias

500Se espera el 10/09/2026

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IPW60R060C7XKSA1

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180En existencias

240Se espera el 3/06/2026

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IPW60R120C7XKSA1
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1: $5.11
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IPW60R120C7XKSA1

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$2.87

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- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $10.53
1,520Se espera el 26/03/2026

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IPW60R040C7XKSA1

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726-IPW60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

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1,520Se espera el 26/03/2026

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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